Wyślij wiadomość

IC obwody zintegrowane DN2530N8-G

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: USA
Nazwa handlowa: Microchip Technology
Numer modelu: DN2530N8-G
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 50szt
Cena: RFQ
Szczegóły pakowania: ESD/próżnia/pianka/kartony
Czas dostawy: Natychmiast
Zasady płatności: T/T, Western Union, depozyt, Paypal, Visa, MoneyGram
Możliwość Supply: Zapytanie ofertowe
specyfikacje opis produktu Poprosić o wycenę
specyfikacje
specyfikacje
Kategoria: Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET
Funkcja FET: Tryb wyczerpania
Status produktu: Aktywny
Rodzaj montażu: Powierzchnia
Vgs(th) (Maks.) @ Id: -
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Zestaw: -
Vgs (maks.): ±20 V
Pakiet: Taśma i rolka (TR) Taśma cięcia (CT) Digi-Reel®
Zestaw urządzeń dostawcy: TO-243AA (SOT-89)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 omów przy 150 mA, 0 V
Mfr: Technologia mikroczipów
Temperatura pracy: -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET: Kanał N
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): 0V
Rozpraszanie mocy (maks.): 1,6 W (Ta)
Opakowanie / Pudełko: TO-243AA
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): 300 V
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: 200mA (Tj)
Technologia: MOSFET (tlenek metalu)
Numer produktu podstawowego: DN2530
opis produktu
N-kanał 300 V 200mA (Tj) 1,6 W (Ta) Nawierzchnia TO-243AA (SOT-89)
Skontaktuj się z nami
Osoba kontaktowa : Mr. Jack
Pozostało znaków(20/3000)