Obwody zintegrowane pamięci MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B TR
| Technologia :: | FLASH - NAND |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | FLASH - NAND |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — DDR |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 15ns |
| Technologia :: | - |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | - |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 70ns |
| Technologia :: | SDRAM — DDR |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 15ns |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | FLASH – NAND, DRAM – LPDDR2 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | FLASH – NAND, DRAM – LPDDR2 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — DDR |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 15ns |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 70ns |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 70ns |
| Technologia :: | - |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | - |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — DDR |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 15ns |
