Układy zintegrowane pamięci MT53D1024M32D4DT-053 AIT ES:D
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 100ns |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 85ns |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 100ns |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 85ns |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 95ns |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 85ns |
| Technologia :: | NAPARSTEK |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 95ns |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 15 ms, 3 ms |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 85ns |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 96ns |
