Obwody zintegrowane pamięci MT44K32M18RB-093F:B TR
| Technologia :: | NAPARSTEK |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | NAPARSTEK |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 60ns |
| Technologia :: | NAPARSTEK |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | NAPARSTEK |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 8 ms, 2,8 ms |
| Technologia :: | BŁYSK - NIE |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Nieulotne |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 8 ms, 2,8 ms |
| Technologia :: | SDRAM - Mobilny LPDDR |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 15ns |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPSDR |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | 15ns |
| Technologia :: | SGRAM-GDDR5 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
| Technologia :: | SDRAM — mobilny LPDDR4 |
|---|---|
| Kategoria produktu :: | Układy scalone pamięci |
| Typ pamięci:: | Lotny |
| Zapas fabryczny:: | 0 |
| Zapisz czas cyklu - Word, Strona:: | - |
