IC Circuitos integrados SST39VF802C-70-4C-B3KE
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Caixa |
Série: | SST39 MPFTM |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Caixa |
Série: | SST39 MPFTM |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Caixa |
Série: | SST39 MPFTM |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Tamanho da Memória: | 512 Kbit |
Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Tape & Reel (TR) |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Tamanho da Memória: | 512 Kbit |
Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Pacote: | Tubos |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Caixa |
Série: | SST38 |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Tamanho da Memória: | 512 Kbit |
Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Tape & Reel (TR) |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | µA 200 @ 1200 V |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1,8 V @ 50 A |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Tape & Reel (TR) |
Série: | SST39 MPFTM |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 2 mA @ 200 V |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 950 mV @ 100 A |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Caixa |
Série: | SST39 MPFTM |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 100 μA @ 1200 V |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 3.1 V @ 75 A |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Caixa |
Série: | SST39 MPFTM |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 50 nA @ 600 V |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1 V @ 400 mA |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Tape & Reel (TR) |
Série: | SST39 MPFTM |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Tamanho da Memória: | 256 Kbit |
Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Tape & Reel (TR) |