| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 2mA |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | TO-247-3 Variante |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 3.4mA |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | TO-264-3, TO-264AA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | Modo de esgotamento |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | - |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 4V @ 2mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 10mA |
