| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 500 nA @ 400 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.6 В @ 3 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 100 μA @ 1200 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 3.5 В @ 15 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Рабочая температура - соединение: | - |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.5 В @ 10 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 200 μA @ 700 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.8 В @ 10 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Рабочая температура - соединение: | - |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.5 В @ 10 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Id Vgs (th) (Макс) @: | 3V @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 50 μA @ 45 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 490 мВ @ 1 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 5 μA @ 40 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 500 мВ @ 200 мА |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 250 μA @ 600 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 2 В @ 100 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 500 nA @ 75 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 50 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 100 μA @ 1000 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 3 В @ 30 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 200 μA @ 1700 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1,8 V @ 50 A |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 2 μA @ 100 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 975 мВ @ 1 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 100 nA @ 50 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1 В @ 200 мА |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 1 μA @ 800 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 В @ 9 А |
