IC интегральные схемы MQ2N4857UB
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 40 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 40 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 40 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | P-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 40 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | P-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 40 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 40 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | P-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | P-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | P-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | P-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
