IC интегральные схемы MQ2N5114
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | P-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | P-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 40 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 40 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | P-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | P-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): | 30 v |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Интегральные схемаы (ICs) Врезанный PLDs (прибор Programmable логики) |
|---|---|
| Количество макроклеток: | 10 |
| Статус продукта: | Старый |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Интегральные схемаы (ICs) Врезанный PLDs (прибор Programmable логики) |
|---|---|
| Количество макроклеток: | 10 |
| Статус продукта: | Старый |
| Тип установки: | Через дыру |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Интегральные схемаы (ICs) Врезанный PLDs (прибор Programmable логики) |
|---|---|
| Количество макроклеток: | 10 |
| Статус продукта: | Старый |
| Тип установки: | Через дыру |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Интегральные схемаы (ICs) Врезанный PLDs (прибор Programmable логики) |
|---|---|
| Количество макроклеток: | 10 |
| Статус продукта: | Старый |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Интегральные схемаы (ICs) Врезанный PLDs (прибор Programmable логики) |
|---|---|
| Количество макроклеток: | 10 |
| Статус продукта: | Старый |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Интегральные схемаы (ICs) Врезанный PLDs (прибор Programmable логики) |
|---|---|
| Количество макроклеток: | 10 |
| Статус продукта: | Старый |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Пакет: | Трубка |
