Интегрированные схемы IC APT50GP60J
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 100 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 100 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 100 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 65 А |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Шасси, шпилька |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 110 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 110 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 280 А |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Пакет: | Насыщенные |
| Серия: | * |
| Мфр: | Технология микрочипов |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 220 a |
| Статус продукта: | Старый |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 200 a |
| Статус продукта: | Старый |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Пакет: | Насыщенные |
| Серия: | * |
| Мфр: | Технология микрочипов |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Пакет: | Насыщенные |
| Серия: | * |
| Мфр: | Технология микрочипов |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 93 А |
| Статус продукта: | Старый |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 112 А |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 100 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 120 a |
| Статус продукта: | Старый |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
