IC интегральные схемы 0912GN-50LE
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Пакет: | Насыщенные |
| Серия: | - |
| Мфр: | Технология микрочипов |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение - номинальное: | 125 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Серия: | EP |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Напряжение - номинальное: | 65 v |
| Пакет: | Насыщенные |
| Серия: | V |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | - |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 125 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Серия: | - |
| Мфр: | Технология микрочипов |
| Статус продукта: | Активный |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Старый |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 450 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 170 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 1000 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
