ИК интегральные схемы VRF141MP
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Напряжение - номинальное: | 80 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Напряжение - номинальное: | 80 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 170 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 1000 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 130 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 1000 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 170 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 170 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 1000 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 1200 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 170 В |
| Пакет: | Коробка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 1000 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 500 v |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | Общедоступный источник 2 N-каналов (двойной) |
| Напряжение - номинальное: | 500 v |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 170 В |
| Пакет: | Коробка |
