Интегрированные схемы IC APT10050JVFR
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Держатель шасси |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Держатель шасси |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 4В @ 2,5mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Держатель шасси |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 3.9В @ 3mA |
Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Через дыру |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Держатель шасси |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Держатель шасси |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-247-3 вариант |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Держатель шасси |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Держатель шасси |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Держатель шасси |