| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 500 nA @ 75 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Настоящий - выпрямленное среднее (Io) (в диод): | 200 мА |
| Операционная температура - соединение: | -65°C ~ 175°C |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 500 nA @ 75 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 10 μA @ 100 В |
| Тип установки: | Мост на копыте |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 В @ 30 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Операционная температура - соединение: | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 975 мВ @ 2,5 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Операционная температура - соединение: | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 875 мВ @ 1 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Настоящий - выпрямленное среднее (Io) (в диод): | 200 мА |
| Операционная температура - соединение: | -65°C ~ 175°C |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 10 μA @ 200 В |
| Тип установки: | Стад Маунт |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.1 В @ 30 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Операционная температура - соединение: | -65°C ~ 200°C |
| Тип установки: | Стад Маунт |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 В @ 30 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 10 μA @ 1600 В |
| Тип установки: | Стад Маунт |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.1 В @ 30 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 10 μA @ 400 В |
| Тип установки: | Стад Маунт |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 В @ 30 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Операционная температура - соединение: | - |
| Тип установки: | Стад Маунт |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | µA 5 @ 100 v |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 875 мВ @ 4 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | µA 10 @ 600 v |
| Тип установки: | Стад Маунт |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 В @ 30 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 10 μA @ 100 В |
| Тип установки: | Стад Маунт |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 В @ 30 А |
