Главная страница /Продукция/Интегральные схемаы памяти/Интегрированные схемы памяти MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

Memory Integrated Circuits MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

Интегрированные схемы памяти MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

Name: Интегрированные схемы памяти MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Brand: Micron Technology
SKU: MT5302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4303М4303М4303М4303М4303М4303М430
Rating: 4.6 (174 reviews)

Подробная информация о продукте:
Место происхождения:	США
Фирменное наименование:	Micron Technology
Номер модели:	MT5302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4302М4303М4303М4303М4303М4303М4303М430
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа:	50 шт.
Цена:	RFQ
Упаковывая детали:	ESD/Вакуум/Пенопласт/Картоны
Время доставки:	Немедленно.
Условия оплаты:	T/T, Western Union, Escrow, Paypal, Visa, MoneyGram
Поставка способности:	RFQ

Контакт

Характеристики Характер продукции Спросите цитату

Характеристики

Технологии :: SDRAM - Мобильное LPDDR4

Категория продуктов:: Мемориальные микросхемы

Тип памяти:: Испаряющий

Фабричный запас:: 0

Напишите время цикла - слово, страница:: -

Пакет изделий поставщика:: -

Время выборки:: -

Формат памяти:: DRAM

Статус части:: Активный

Размер памяти:: 32 Гб (512 Мх x 64)

Упаковка:: & ленты; Вьюрок (TR)

@ qty:: 0

Рабочая температура:: -30°C | 85°C (TC)

Минимальное количество:: 1000

Интерфейс памяти:: -

Пакет / чемодан:: -

Тип установки:: -

Частота часов:: 2133MHz

Напряжение - питание:: 1.1V

Серия:: -

Производитель:: Технология микронов

Характер продукции

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR,от Micron Technology,это память ICs.что мы предлагаем имеют конкурентоспособную цену на мировом рынке,которые находятся в оригинальных и новых деталей.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!

тег:

Вспышка интегральных схема D BGA-63 NAND памяти MT29F4G08ABBDAH4-IT

Флэш-память IC EMMC MTFC64GAPALBH-AIT

Интегральные схемаы FBGA-100 EMMC памяти IS21TF08G-JQLI

Интегральные схемаы Nand внезапный IC GD5F2GQ5UEYIGR WSON-8

Свяжись с нами

Контактное лицо :	Mr. Jack

Сообщение:

Осталось символов(20/3000)

от:

Интегрированные схемы памяти MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

Интегральные схемаы памяти SMD

Обломок IC флэш-памяти SMT

Флэш-память IC EMMC

Вспышка интегральных схема D BGA-63 NAND памяти MT29F4G08ABBDAH4-IT

Флэш-память IC EMMC MTFC64GAPALBH-AIT

Интегральные схемаы FBGA-100 EMMC памяти IS21TF08G-JQLI

Интегральные схемаы Nand внезапный IC GD5F2GQ5UEYIGR WSON-8