| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 25 nA @ 30 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1 В @ 100 мА |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 500 nA @ 75 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 100 nA @ 175 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1 В @ 100 мА |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 500 nA @ 75 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1 В @ 200 мА |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 400 μA @ 20 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 450 мВ @ 1 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 100 μA @ 60 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 600 мВ @ 1 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Id Vgs (th) (Макс) @: | 2.4В @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | Режим исчерпания |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Id Vgs (th) (Макс) @: | - |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Пакет: | Трубка |
| Серия: | - |
| Мфр: | Технология микрочипов |
| Категория: | Интегральные схемаы (ICs) Управление силы (PMIC) Инспектора |
|---|---|
| Перезагрузить: | Активный низкий уровень |
| Статус продукта: | Активный |
| Порог напряжения: | 4.625V |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Интегральные схемаы (ICs) Управление силы (PMIC) Инспектора |
|---|---|
| Перезагрузить: | Активный низкий уровень |
| Статус продукта: | Активный |
| Порог напряжения: | 4.375V |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 10 μA @ 50 В |
| Тип установки: | Стад Маунт |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 950 мВ @ 20 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 5 μA @ 200 В |
| Тип установки: | Стад Маунт |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 2.2 В @ 10 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 500 nA @ 75 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
