| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 1 мА @ 20 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 450 мВ @ 1 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 500 nA @ 400 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.3 В @ 3 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 100 μA @ 50 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.1 V @ 400 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 500 nA @ 75 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Id Vgs (th) (Макс) @: | 1.6В @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 10 μA @ 400 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.25 В @ 1 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | µA 200 @ 1200 v |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1,8 V @ 50 A |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Рабочая температура - соединение: | - |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 1 µA @ 100 v |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 875 мВ @ 1 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 1 μA @ 1000 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 В @ 9 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Id Vgs (th) (Макс) @: | 2.6В @ 2mA |
| Операционная температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-247-4 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 1 μA @ 400 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.5 В @ 9 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 500 nA @ 400 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.6 В @ 3 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 100 μA @ 1200 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 3.5 В @ 15 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Рабочая температура - соединение: | - |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.5 В @ 10 А |
