| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 600mA |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип транзистора: | 2 ПНП (двойной) |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 30mA |
| Статус продукта: | Выпущен в Digi-Key |
| Тип транзистора: | 2 NPN (двойного) |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 500mA |
| Статус продукта: | Выпущен в Digi-Key |
| Тип транзистора: | 2 NPN (двойного) |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 800mA |
| Статус продукта: | Выпущен в Digi-Key |
| Тип транзистора: | 4 НПН (четверки) |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 600mA |
| Статус продукта: | Выпущен в Digi-Key |
| Тип транзистора: | 2 ПНП (двойной) |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 500mA |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип транзистора: | 8 NPN Darlington |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 500mA |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип транзистора: | 7 NPN Дарлингтон |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 500mA |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип транзистора: | 7 NPN Дарлингтон |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 500mA |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип транзистора: | 8 NPN Darlington |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 600mA |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип транзистора: | 7 NPN Дарлингтон |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 500mA |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип транзистора: | 7 NPN Дарлингтон |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 500mA |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип транзистора: | 8 NPN Darlington |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 500mA |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип транзистора: | 8 NPN Darlington |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 500mA |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип транзистора: | 7 NPN Дарлингтон |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 500mA |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип транзистора: | 8 NPN Darlington |
| Тип установки: | Через дыру |
