Интегрированные схемы IC APTGTQ200SK65T3G
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 200 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 200 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 80 А |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 150 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 110 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 75 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Настоящий - выключение сборника (Макс): | µA 100 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 55 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 110 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 80 А |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 100 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 80 А |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 80 А |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 150 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 100 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 32 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули |
|---|---|
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 32 a |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Пакет: | Насыщенные |
