IC интегральные схемы SY58604UMG-TR
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Часы / Время Часовые буферы, водители |
|---|---|
| Соотношение - Вход:Выход: | 1:1 |
| Тип: | Буфер/водитель |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Часы / Время Часовые буферы, водители |
|---|---|
| Соотношение - Вход:Выход: | 1:1 |
| Тип: | Буфер/водитель |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Часы / Время Часовые буферы, водители |
|---|---|
| Соотношение - Вход:Выход: | 1:4 |
| Тип: | Fanout Buffer (Распространение) |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Часы / Время Часовые буферы, водители |
|---|---|
| Соотношение - Вход:Выход: | 1:3 |
| Тип: | Fanout Buffer (Распространение) |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Часы / Время Часовые буферы, водители |
|---|---|
| Соотношение - Вход:Выход: | 1:4 |
| Тип: | Буфер разветвителя (распределение), переводчик |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Часы / Время Часовые буферы, водители |
|---|---|
| Соотношение - Вход:Выход: | 1:1 |
| Тип: | Буфер/водитель |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Часы / Время Часовые буферы, водители |
|---|---|
| Соотношение - Вход:Выход: | 1:2 |
| Тип: | Fanout Buffer (Распространение) |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 65 v |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 125 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 125 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 125 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | - |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
