IC интегральные схемы 2731GN-120V
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 125 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 125 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 125 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | - |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - номинальное: | 150 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Старый |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 1000 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Старый |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 130 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Старый |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 450 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Старый |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 170 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 170 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 1000 В |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал 4 |
| Напряжение - номинальное: | 500 v |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 1000 В |
| Пакет: | Насыщенные |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Конфигурация: | N-канал |
| Напряжение - номинальное: | 170 В |
| Пакет: | Насыщенные |
