| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | Se trata de una serie de medidas de control de la seguridad. |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 Variante |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 Variante |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | Se trata de una serie de medidas de control de la seguridad. |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 285 nC @ 10 V |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
