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Datos del producto:
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| Lugar de origen: | Estados Unidos |
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| Nombre de la marca: | Nexperia |
| Número de modelo: | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
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Pago y Envío Términos:
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| Cantidad de orden mínima: | 50 PCS |
| Precio: | RFQ |
| Detalles de empaquetado: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| Tiempo de entrega: | Inmediatamente |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, fideicomiso, Paypal, visa, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | Cuadros de trabajo |
Circuitos integrados de circuito integrado PMCM4401UPEZ WLCSP-4 MOSFET
Descripción del producto:
Los MOSFETs Nexperia Small-Signal Trench incluyen productos de N- y P-canal de bajo voltaje en un paquete de tamaño de chip de cuatro o seis obturadores (WLCSP).Estos MOSFET están disponibles en una configuración simple o dual con un voltaje umbral bajo de ≤ 20V y > 2kV de protección contra descargas electrostáticas (ESD) HBMLos Nexperia Small-Signal Trench MOSFET están diseñados para satisfacer los requisitos de aplicaciones portátiles con voltajes de accionamiento bajos.con una capacidad de transmisión de más de 300 W,, circuitos de conmutación y controladores de relé.
Aplicación:
Cuadro de parámetros:
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| El fabricante: | Nexperia |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| La norma RoHS: | - Sí, es cierto. |
| Estilo de montaje: | DSM/SMT |
| Embalaje / estuche: | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: | 12 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 4.9 A |
| Vgs - Tensión de la fuente de la puerta: | - 8 V, más 8 V |
| Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta: | 900 mV |
| Marca: | Nexperia |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Envasado de fábrica | 9000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
Preguntas frecuentes:
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