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Circuitos integrados de circuito integrado LND150N3-G-P014

Datos del producto:
Lugar de origen:	Estados Unidos
Nombre de la marca:	Microchip Technology
Número de modelo:	El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima:	50 PCS
Precio:	RFQ
Detalles de empaquetado:	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega:	- ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago:	T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente:	Cuadros de trabajo

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Especificaciones Descripción de producto Pida una cita

Especificaciones

Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

Característica del FET: Modo de agotamiento

Estado del producto: Actividad

Tipo de montaje: A través del agujero

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: -

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 10 pF @ 25 V

Serie: -

Vgs (máximo): ±20V

Paquete: Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)

Paquete de dispositivos del proveedor: TO-92-3

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: Se aplicarán las siguientes medidas:

El Sr.: Tecnología de microchips

Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo del FET: Canal N

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 0V

Disipación de poder (máxima): Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e

Envase / estuche: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 500 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones

Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

Número del producto de base: El precio de venta

Descripción de producto

N-canal 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) a través del agujero TO-92-3

etiqueta:

Circuitos integrados de SOIC-8 IC

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