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Circuitos integrados de circuito integrado TP5335K1-G

Datos del producto:
Lugar de origen: Estados Unidos
Nombre de la marca: Microchip Technology
Número de modelo: TP5335K1-G
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 50 PCS
Precio: RFQ
Detalles de empaquetado: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega: - ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago: T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente: Cuadros de trabajo
Especificaciones Descripción de producto Pida una cita
Especificaciones
Especificaciones
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET: -
Estado del producto: Actividad
Tipo de montaje: Montura de la superficie
Vgs(th) (máximo) @ Id: 2.4V @ 1mA
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Serie: -
Vgs (máximo): ± 20 V
Paquete: Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Paquete de dispositivos del proveedor: A-236AB (SOT23)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 200 mA, 10 V
El Sr.: Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C
Tipo de FET: P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 4.5V, 10V
Disipación de poder (máxima): 360mW (TA)
Envase / estuche: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 350 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Se aplicarán los siguientes requisitos:
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base: TP5335
Descripción de producto
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Persona de Contacto : Mr. Jack
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