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Circuitos integrados IC 2N6661

Datos del producto:
Lugar de origen:	Estados Unidos
Nombre de la marca:	Microchip Technology
Número de modelo:	2N6661
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima:	50 PCS
Precio:	RFQ
Detalles de empaquetado:	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega:	- ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago:	T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente:	Cuadros de trabajo

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Especificaciones Descripción de producto Pida una cita

Especificaciones

Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

Característica del FET: -

Estado del producto: Actividad

Tipo de montaje: A través del agujero

Vgs(th) (máximo) @ Id: 2V @ 1mA

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 50 pF @ 24 V

Serie: -

Vgs (máximo): ± 20 V

Paquete: El bolso

Paquete de dispositivos del proveedor: TO-39

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10 V

El Sr.: Tecnología de microchips

Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de FET: N-canal

Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 5V, 10V

Disipación de poder (máxima): 6.25W (Tc)

Envase / estuche: TO-205AD, metal TO-39-3 puede

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 90 V

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de la temperatura de la atmó

Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

Descripción de producto

N-canal 90 V 350mA (Tj) 6.25W (Tc) a través del agujero TO-39

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Circuitos integrados de SOIC-8 IC