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Circuitos integrados de circuito integrado VP2206N2

Datos del producto:
Lugar de origen: Estados Unidos
Nombre de la marca: Microchip Technology
Número de modelo: VP2206N2
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 50 PCS
Precio: RFQ
Detalles de empaquetado: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega: - ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago: T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente: Cuadros de trabajo
Especificaciones Descripción de producto Pida una cita
Especificaciones
Especificaciones
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET: -
Estado del producto: Actividad
Tipo de montaje: A través del agujero
Vgs(th) (máximo) @ Id: 3.5V @ 10mA
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Serie: -
Vgs (máximo): ± 20 V
Paquete: El bolso
Paquete de dispositivos del proveedor: TO-39
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
El Sr.: Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET: P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 5V, 10V
Disipación de poder (máxima): 360 mW (Tc)
Envase / estuche: TO-205AD, metal TO-39-3 puede
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Se aplicarán los siguientes requisitos:
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base: VP2206
Descripción de producto
Canal P 60 V 750 mA (Tj) 360 mW (Tc) a través del agujero TO-39
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Persona de Contacto : Mr. Jack
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