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Circuitos integrados de circuito integrado APT47N60SC3G

Datos del producto:
Lugar de origen:	Estados Unidos
Nombre de la marca:	Microchip Technology
Número de modelo:	APT47N60SC3G. El equipo de seguridad de la policía.
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima:	50 PCS
Precio:	RFQ
Detalles de empaquetado:	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega:	- ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago:	T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente:	Cuadros de trabajo

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Especificaciones Descripción de producto Pida una cita

Especificaciones

Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

Característica del FET: -

Vgs(th) (máximo) @ Id: 3.9V @ 2.7mA

Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Envase / estuche: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: Las partidas de la caja de carga deberán estar equipadas con una caja de carga.

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V

Tipo de FET: N-canal

Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 10 V

Paquete: El tubo

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): Las demás:

Vgs (máximo): ± 20 V

Estado del producto: Actividad

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 7015 pF @ 25 V

Tipo de montaje: Montura de la superficie

Serie: CoolMOS™

Paquete de dispositivos del proveedor: D3 [S]

El Sr.: Tecnología de microchips

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 47A (Tc)

Disipación de poder (máxima): 417W (Tc)

Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

Número del producto de base: Apte47N60

Descripción de producto

Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.

etiqueta:

Circuitos integrados de SOIC-8 IC

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