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Los circuitos integrados de circuito integrado MSCSM120DAM31CTBL1NG

Datos del producto:
Lugar de origen: Estados Unidos
Nombre de la marca: Microchip Technology
Número de modelo: Las condiciones de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 50 PCS
Precio: RFQ
Detalles de empaquetado: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega: - ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago: T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente: Cuadros de trabajo
Especificaciones Descripción de producto Pida una cita
Especificaciones
Especificaciones
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET: -
Vgs(th) (máximo) @ Id: 2.8V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche: Módulo
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Tipo de FET: N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 20 V
Paquete: En bruto
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): Las demás:
Vgs (máximo): +25V, -10V
Estado del producto: Actividad
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Tipo de montaje: Montaje en chasis
Serie: -
Paquete de dispositivos del proveedor: -
El Sr.: Tecnología de microchips
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 79A
Disipación de poder (máxima): 310W
Tecnología: SiCFET (carburo de silicio)
Número del producto de base: Se aplicará el procedimiento siguiente:
Descripción de producto
Se aplicará el método de medición de la velocidad.
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Persona de Contacto : Mr. Jack
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