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Circuitos integrados de circuito integrado APT8M100B

Datos del producto:
Lugar de origen:	Estados Unidos
Nombre de la marca:	Microchip Technology
Número de modelo:	Apte 8M100B
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima:	50 PCS
Precio:	RFQ
Detalles de empaquetado:	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega:	- ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago:	T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente:	Cuadros de trabajo

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Especificaciones Descripción de producto Pida una cita

Especificaciones

Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

Característica del FET: -

Vgs(th) (máximo) @ Id: 5V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Envase / estuche: TO-247-3

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 60 nC a 10 V

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 4A, 10 V

Tipo de FET: N-canal

Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 10 V

Paquete: El tubo

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): Las demás:

Vgs (máximo): ±30V

Estado del producto: Actividad

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef

Tipo de montaje: A través del agujero

Serie: -

Paquete de dispositivos del proveedor: En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:

El Sr.: Tecnología de microchips

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 8A (Tc)

Disipación de poder (máxima): Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de la atmósf

Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

Número del producto de base: Apte 8M100

Descripción de producto

N-canal 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) a través del agujero TO-247 [B]

etiqueta:

Circuitos integrados de SOIC-8 IC

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