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Circuitos integrados de circuito integrado TP2522N8-G

Datos del producto:
Lugar de origen:	Estados Unidos
Nombre de la marca:	Microchip Technology
Número de modelo:	TP2522N8-G: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima:	50 PCS
Precio:	RFQ
Detalles de empaquetado:	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega:	- ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago:	T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente:	Cuadros de trabajo

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Especificaciones Descripción de producto Pida una cita

Especificaciones

Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

Característica del FET: -

Estado del producto: Actividad

Tipo de montaje: Montura de la superficie

Vgs(th) (máximo) @ Id: 2.4V @ 1mA

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 125 pF @ 25 V

Serie: -

Vgs (máximo): ± 20 V

Paquete: Cintas y bobinas (TR)

Paquete de dispositivos del proveedor: TO-243AA (SOT-89)

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200 mA, 10 V

El Sr.: Tecnología de microchips

Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de FET: P-canal

Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 4.5V, 10V

Disipación de poder (máxima): 1.6W (TA)

Envase / estuche: TO-243AA

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): Las demás:

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Se aplicarán los siguientes requisitos:

Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

Número del producto de base: TP2522: las condiciones de los productos

Descripción de producto

Se aplican las siguientes medidas:

etiqueta:

Circuitos integrados de SOIC-8 IC

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