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Circuitos integrados de circuito integrado APT43F60B2

Datos del producto:
Lugar de origen:	Estados Unidos
Nombre de la marca:	Microchip Technology
Número de modelo:	Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima:	50 PCS
Precio:	RFQ
Detalles de empaquetado:	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega:	- ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago:	T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente:	Cuadros de trabajo

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Especificaciones Descripción de producto Pida una cita

Especificaciones

Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

Característica del FET: -

Vgs(th) (máximo) @ Id: 5 V @ 2,5 mA

Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Envase / estuche: TO-247-3 Variante

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 215 nC @ 10 V

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: Se aplicarán las siguientes medidas:

Tipo de FET: N-canal

Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 10 V

Paquete: El tubo

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): Las demás:

Vgs (máximo): ±30V

Estado del producto: Actividad

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 8590 pF @ 25 V

Tipo de montaje: A través del agujero

Serie: MOS 8™ DEL PODER

Paquete de dispositivos del proveedor: T-MAXTM [B2]

El Sr.: Tecnología de microchips

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Se aplicará el método de ensayo.

Disipación de poder (máxima): El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido

Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

Número del producto de base: Los datos de las pruebas de seguridad de los vehículos

Descripción de producto

Se utilizará el sistema de control de velocidad de la máquina de ensayo de la máquina de ensayo.

etiqueta:

Circuitos integrados de SOIC-8 IC

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