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Circuitos integrados de circuito integrado APT12057B2FLL

Datos del producto:
Lugar de origen: Estados Unidos
Nombre de la marca: Microchip Technology
Número de modelo: El objetivo es:
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 50 PCS
Precio: RFQ
Detalles de empaquetado: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega: - ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago: T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente: Cuadros de trabajo
Especificaciones Descripción de producto Pida una cita
Especificaciones
Especificaciones
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET: -
Vgs(th) (máximo) @ Id: 5 V @ 2,5 mA
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Envase / estuche: TO-247-3 Variante
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 11A, 10V
Tipo de FET: N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 10 V
Paquete: El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): Las demás:
Vgs (máximo): ±30V
Estado del producto: Actividad
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 5155 pF @ 25 V
Tipo de montaje: A través del agujero
Serie: MOS 7® DEL PODER
Paquete de dispositivos del proveedor: T-MAXTM [B2]
El Sr.: Tecnología de microchips
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Disipación de poder (máxima): 690W (Tc)
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base: APT12057 (en inglés)
Descripción de producto
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Persona de Contacto : Mr. Jack
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