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Circuitos integrados de circuito integrado APTM120U10SAG

Datos del producto:
Lugar de origen: Estados Unidos
Nombre de la marca: Microchip Technology
Número de modelo: Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notifi
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 50 PCS
Precio: RFQ
Detalles de empaquetado: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega: - ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago: T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente: Cuadros de trabajo
Especificaciones Descripción de producto Pida una cita
Especificaciones
Especificaciones
Categoría: Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET: -
Vgs(th) (máximo) @ Id: 5V @ 20mA
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ)
Envase / estuche: SP6
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: El valor de las emisiones de dióxido de carbono es igual o superior a:
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 58A, 10V
Tipo de FET: N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 10 V
Paquete: En bruto
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): Las demás:
Vgs (máximo): ±30V
Estado del producto: Actividad
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 28900 pF @ 25 V
Tipo de montaje: Montaje en chasis
Serie: -
Paquete de dispositivos del proveedor: SP6
El Sr.: Tecnología de microchips
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Se aplicará el procedimiento siguiente:
Disipación de poder (máxima): 3290W (Tc)
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base: Aplicación de las normas de seguridad
Descripción de producto
N-Canal 1200 V 116A (Tc) 3290W (Tc) Montura del chasis SP6
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Persona de Contacto : Mr. Jack
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