| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 1V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 3.5V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 2V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | Modo de agotamiento |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 2,5 V a 1 mA |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Gestión de energía (PMIC) Supervisores |
|---|---|
| Reinicio: | Punto bajo activo |
| Estado del producto: | Actividad |
| Voltaje - umbral: | 4.38V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Gestión de energía (PMIC) Supervisores |
|---|---|
| Reinicio: | Punto bajo activo |
| Estado del producto: | Actividad |
| Voltaje - umbral: | 2.63V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Gestión de energía (PMIC) Supervisores |
|---|---|
| Reinicio: | Alto activo |
| Estado del producto: | Actividad |
| Voltaje - umbral: | 3.075V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 15 μA @ 300 V |
| Tipo de montaje: | Soporte del perno prisionero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.4 V @ 20 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura del aire. |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.55 V @ 1 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura del aire. |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.6 V @ 3 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 μA @ 200 V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.5 V @ 9 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 μA @ 500 V |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.5 V @ 9 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 μA @ 200 V |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.3 V @ 1 A |
