Bộ mạch tích hợp bộ nhớ MT48H32M16LFBF-6:B TR
| Công nghệ :: | SDRAM - LPSDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPSDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | SDRAM-DDR3L |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPSDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPSDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 12ns |
| Công nghệ :: | SDRAM-DDR3L |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPSDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | PSRAM (SRAM giả) |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 70ns |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR4 di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | PSRAM (SRAM giả) |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 70ns |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
