Nhà /Sản phẩm/Mạch tích hợp IC/IC Mạch tích hợp IC bộ khuếch đại TSB622IQ3T DFN-8

IC Mạch tích hợp IC bộ khuếch đại TSB622IQ3T DFN-8

Thông tin chi tiết sản phẩm:
Nguồn gốc:	Hoa Kỳ

Liên hệ với bây giờ

Thông số kỹ thuật Mô tả sản phẩm Yêu cầu báo giá

Thông số kỹ thuật

Mfr. ông. # #: TSB622IQ3T

ông.: STMicro điện tử

Sự miêu tả: Bộ khuếch đại hoạt động - Op Amps Công suất thấp, 1,7 MHz, đầu ra từ đường ray đến đường ray, bộ khu

Thời gian giao hàng tại nhà máy: 36 tuần

Mô tả sản phẩm

Thông số kỹ thuật

Thuộc tính sản phẩm	Giá trị thuộc tính
Nhà chế tạo:	STVi điện tử
Danh mục sản phẩm:	Bộ khuếch đại hoạt động - Op Amps
RoHS:	Chi tiết
Kiểu lắp:	SMD/SMT
Gói/Trường hợp:	DFN-8
Số kênh:	2 kênh
Điện áp cung cấp - Tối đa:	36 V
GBP - Sản phẩm tăng băng thông:	1,7 MHz
Dòng điện đầu ra trên mỗi kênh:	45 mA
SR - Tốc độ xoay:	0,6 nV/chúng tôi
Vos - Điện áp bù đầu vào:	1 mV
Điện áp cung cấp - Tối thiểu:	2,7 V
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ hoạt động tối đa:	+ 125 C
Ib - Xu hướng đầu vào hiện tại:	30 nA
Nguồn cung cấp hoạt động hiện tại:	375 uA
Tắt:	Không tắt máy
CMRR - Tỷ lệ loại bỏ chế độ chung:	135dB
Loạt:	TSB622
Bao bì:	cuộn
Bao bì:	Cắt băng
Bao bì:	Cuộn chuột
Thương hiệu:	STVi điện tử
Ios - Dòng bù đầu vào:	10 nA
Loại đầu ra:	Từ đường ray này đến đường ray kia
Sản phẩm:	Mổ nội soi
Loại sản phẩm:	Op Amps - Bộ khuếch đại hoạt động
PSRR - Tỷ lệ từ chối nguồn điện:	124dB
Số lượng gói nhà máy:	3000
Tiểu thể loại:	IC khuếch đại
THD cộng với tiếng ồn:	0,005%