|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
|
| Nguồn gốc: | Hoa Kỳ |
|---|---|
| Hàng hiệu: | MICRON |
| Số mô hình: | MT53D512M32D2DS-053WT:D |
|
Thanh toán:
|
|
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 50pcs |
| Giá bán: | RFQ |
| chi tiết đóng gói: | ESD/Chân không/Bọt/Thùng |
| Thời gian giao hàng: | Ngay lập tức |
| Điều khoản thanh toán: | T/T, Western Union, ký quỹ, Paypal, Visa, MoneyGram |
| Khả năng cung cấp: | RFQ |
IC mạch tích hợp MT53D512M32D2DS-053WT:D VFBGA-200 Dynamic Random Access Memory
Mô tả sản phẩm:
Bộ nhớ Micron LPDDR4 được tối ưu hóa để giải quyết các vấn đề tiêu thụ điện trong các ứng dụng chạy bằng pin.Bộ nhớ LPDDR4 cung cấp tiêu thụ năng lượng thấp hơn 5 lần trong chế độ chờ so với DRAM tiêu chuẩn. Các thiết bị bộ nhớ này có thiết kế gói đa chip (MCP) và gói trên gói (PoP) giúp tiết kiệm không gian PCB.và cấu hình x64 và cung cấp tiết kiệm BOM cho một số ứng dụngBộ nhớ LPDDR4 kết hợp hiệu suất, năng lượng, độ trễ và không gian vật lý làm cho nó hiệu quả năng lượng.và siêu di động.
Ứng dụng:
Bảng tham số:
| Đặc điểm sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
| Nhà sản xuất: | Công nghệ Micron |
| Nhóm sản phẩm: | DRAM |
| RoHS: | Vâng |
| Loại: | SDRAM Mobile - LPDDR4 |
| Phong cách gắn: | SMD/SMT |
| Bao gồm: | VFBGA-200 |
| Tần số đồng hồ tối đa: | 1.866 GHz |
| Điện áp cung cấp - tối đa: | 1.1 V |
| Thương hiệu: | Micron |
| Nhạy cảm với độ ẩm: | Vâng. |
| Loại sản phẩm: | DRAM |
| Số lượng đóng gói: | 1360 |
| Phân loại: | Bộ nhớ và lưu trữ dữ liệu |
FAQ:
Không MOQ cần thiết, và nếu bạn mua nhiều hơn, sẽ tận hưởng giá tốt hơn.
Bạn có thể yêu cầu nhân viên của chúng tôi để áp dụng mẫu miễn phí.
Chúng tôi cung cấp: Visa/MasterCard/Wire Transfer/WU/MG/PayPal vv
Chúng tôi cung cấp: DHL / UPS / TNT / FedEx / EMS / Aramex / ePacket vv
Thời gian bảo hành chất lượng: 12 tháng.
Tất cả các sản phẩm đã được kiểm tra trước khi vận chuyển, và các vấn đề về chất lượng là không đáng kể.
Vâng, chúng tôi cung cấp dịch vụ mua hàng một chỗ, xin vui lòng gửi cho chúng tôi danh sách Bom của bạn
