Bộ mạch tích hợp bộ nhớ MT29F2G08ABBEAH4:E
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
