Bộ mạch tích hợp bộ nhớ MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR
| Công nghệ :: | - |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | - |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | - |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | - |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | TỐC BIẾN |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR4 di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | TỐC BIẾN |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SGRAM-GDDR5 |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR3 di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR4 di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR4 di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR4 di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - DDR4 |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
