الدوائر المتكاملة IC 24LC16BT-M/SN
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حجم الذاكرة: | 16 كيلو بايت |
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حجم الذاكرة: | 16 كيلو بايت |
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الصندوق |
السلسلة: | SST38 |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: | SST39 MPF ™ |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: | SST38 |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الصندوق |
السلسلة: | SST38 |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الصندوق |
السلسلة: | SST38 |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
درجة حرارة التشغيل - مفرق: | -65 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 500 مللي فولت @ 3 أ |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 2.5 مللي أمبير @ 1200 فولت |
نوع التثبيت: | جبل الهيكل |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 2.5 فولت @ 500 أمبير |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 μA @ 1000 فولت |
نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 9 أمبير |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 500 غ @ 75 فولت |
نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 100 مللي أمبير |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 200 غ @ 50 فولت |
نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1 فولت @ 15 مللي أمبير |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 µA @ 100 فولت |
نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.5 فولت @ 9 أمبير |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 1 ميكرو أمبير عند 200 فولت |
نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.5 فولت @ 9 أمبير |
الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات المعدلات الثنائيات المفردة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 25 ميكرو أمبير عند 600 فولت |
نوع التثبيت: | من خلال الثقب |
الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 2.5 فولت @ 75 أمبير |
الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
---|---|
حالة المنتج: | نشط |
نوع التثبيت: | جبل السطح |
الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: | SST38 |