IC統合回路 24LC16BT-M/SN
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 16Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 16Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トレー |
シリーズ: | SST38 |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
シリーズ: | SST39 MPFTM |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
シリーズ: | SST38 |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トレー |
シリーズ: | SST38 |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トレー |
シリーズ: | SST38 |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
実用温度-接続点: | -65°C ~ 150°C |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 500mV @ 3A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 2.5 mA @ 1200V |
マウントタイプ: | シャーシマウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 2.5V @ 500A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 1000V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 9A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 75 V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 100mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 200nA @ 50V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1ボルト@ 15 mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1つのµA @ 100ボルト |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.5V @ 9A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 200V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.5V @ 9A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 25 μA @ 600 V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 2.5V @ 75A |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
シリーズ: | SST38 |