| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 10 ميكرو أمبير عند 7.6 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 10 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حجم الذاكرة: | 2 كيلو بايت |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل® |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حجم الذاكرة: | 1Kbit |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | أنبوب |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 10 ميكرو أمبير عند 7 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 9.1 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 10 ميكرو أمبير عند 6 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 8.2 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حجم الذاكرة: | 2 كيلو بايت |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل® |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 10 ميكرو أمبير عند 4 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 6.8 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حجم الذاكرة: | 1Kbit |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل® |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 10 ميكرو أمبير عند 3 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 6.2 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حجم الذاكرة: | 1Kbit |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل® |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 10 ميكرو أمبير عند 1 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 5.1 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 10 ميكرو أمبير عند 1 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 4.7 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 100 ميكرو أمبير عند 1 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 3.6 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.2 فولت @ 200 مللي أمبير |
| الفئة: | الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة |
|---|---|
| حجم الذاكرة: | 1Kbit |
| حالة المنتج: | نشط |
| نوع التثبيت: | جبل السطح |
| الحزمة: | الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل® |
| الفئة: | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الثنائيات زينر الثنائيات زينر واحدة |
|---|---|
| حالة المنتج: | نشط |
| الحالي - عكس التسرب @ Vr: | 10 ميكرو أمبير @ 5.17 فولت |
| الجهد - زينر (نوم) (Vz): | 6.8 فولت |
| الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: | 1.1 فولت @ 200 مللي أمبير |
