IC 통합 회로 SMAJ4740E3/TR13
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 7.6V에서 10μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 10 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 7.6V에서 10μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 10 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 2Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 7V에서 10μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 9.1 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 6V에서 10μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 8.2 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 2Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 4V에서 10μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 6.8 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 1Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 3V에서 10μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 6.2 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 1Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 10μA @ 1V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 5.1 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 10μA @ 1V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 4.7 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 100μA @ 1V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 3.6 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 1Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 5.17V에서 10μA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 6.8 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
