الدوائر المتكاملة للذاكرة NP8P128A13T1760E
| تكنولوجيا :: | PCM (PRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 115 نانو |
| تكنولوجيا :: | PCM (PRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 115 نانو |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 100ns |
| تكنولوجيا :: | درهم |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 100ns |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | ذاكرة SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 15ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 105ns |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 55ns |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 110ns |
