الحوائط المتكاملة للذاكرة MT53D384M32D2DS-053 WT:C
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 70ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 100ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 70ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 100ns |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | ذاكرة SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 15ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 105ns |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 110ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ولا |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 100ns |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | متقلب |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | - |
| تكنولوجيا :: | فلاش - ناند |
|---|---|
| فئة المنتج :: | ذاكرة المرحلية |
| نوع الذاكرة:: | غير متطاير |
| مخزون المصنع:: | 0 |
| كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: | 25ns |
