আইসি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট AT28C256-25UM/883-815
| শ্রেণী: | ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC) স্মৃতিশক্তি স্মৃতিশক্তি |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| প্যাকেজ: | বাক্স |
| সিরিজ: | - |
| শ্রেণী: | ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC) স্মৃতিশক্তি স্মৃতিশক্তি |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| প্যাকেজ: | বাক্স |
| সিরিজ: | - |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 250 µA @ 600 V |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 1.8 ভোল্ট @ 60 এ |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 250 µA @ 600 V |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 1.8 V @ 30 A |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 50 এনএ @ 400 ভোল্ট |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 1 V @ 400 mA |
| শ্রেণী: | ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC) স্মৃতিশক্তি স্মৃতিশক্তি |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | পৃষ্ঠের মাউন্ট |
| প্যাকেজ: | টিউব |
| সিরিজ: | - |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 5 mA @ 40 V |
| মাউন্ট টাইপ: | পৃষ্ঠের মাউন্ট |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | ৪৫০ এমভি @ ৮ এ |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 500 nA @ 75 V |
| মাউন্ট টাইপ: | পৃষ্ঠের মাউন্ট |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 1.2 V @ 100 mA |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 200 µA @ 1200 V |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 1.8 ভি @ 20 এ |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 1 nA @ 125 V |
| মাউন্ট টাইপ: | পৃষ্ঠের মাউন্ট |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 920 mV @ 100 mA |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 2 µA @ 50 V |
| মাউন্ট টাইপ: | পৃষ্ঠের মাউন্ট |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 975 mV @ 2 A |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 1 µA @ 400 V |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 1.5 V @ 9 A |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 10 mA @ 15 V |
| মাউন্ট টাইপ: | পৃষ্ঠের মাউন্ট |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 220 mV @ 1 A |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 500 nA @ 400 V |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 1.3 V @ 3 ক |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | ১০০ μA @ ৩০ ভোল্ট |
| মাউন্ট টাইপ: | পৃষ্ঠের মাউন্ট |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 600 mV @ 1 A |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ট্রানজিস্টর FET, MOSFETs একক FET, MOSFET |
|---|---|
| FET বৈশিষ্ট্য: | - |
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি: | 4.5V @ 1mA |
