IC Circuitos integrados AT28C256-25UM/883-815
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Pacote: | Caixa |
Série: | - |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Pacote: | Caixa |
Série: | - |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 250 μA @ 600 V |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.8 V @ 60 A |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 250 μA @ 600 V |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1,8 V @ 30 A |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 50 nA @ 400 V |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1 V @ 400 mA |
Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Pacote: | Tubos |
Série: | - |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 5 mA @ 40 V |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 450 mV @ 8 A |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 500 nA @ 75 V |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | µA 200 @ 1200 V |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.8 V @ 20 A |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 1 nA @ 125 V |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 920 mV @ 100 mA |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 2 μA @ 50 V |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 975 mV @ 2 A |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 1 μA @ 400 V |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.5 V @ 9 A |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 10 mA @ 15 V |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 220 mV @ 1 A |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 500 nA @ 400 V |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.3 V @ 3 A |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
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Estatuto do produto: | Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 100 μA @ 30 V |
Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 600 mV @ 1 A |
Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
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Característica do FET: | - |
Estatuto do produto: | Atividade |
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
Vgs(th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1mA |