| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples |
|---|---|
| Statut du produit: | Actif |
| Courant - Fuite inverse @ Vr: | 1 mA @ 20 V |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: | 550 mV @ 1 A |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples |
|---|---|
| Statut du produit: | Actif |
| Le paquet: | Produits en vrac |
| Série: | * |
| Mfr: | Technologie des puces |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples |
|---|---|
| Statut du produit: | Actif |
| Courant - Fuite inverse @ Vr: | 100 μA @ 50 V |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: | 1.1 V @ 400 mA |
| Catégorie: | Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire |
|---|---|
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Le paquet: | Boîte |
| Série: | - |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Catégorie: | Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire |
|---|---|
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Le paquet: | Tuyaux |
| Série: | - |
| Catégorie: | Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire |
|---|---|
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Le paquet: | Tuyaux |
| Série: | - |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @: | 2V @ 1mA |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | Mode d'épuisement |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @: | - |
| Catégorie: | Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire |
|---|---|
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Le paquet: | Boîte |
| Série: | - |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @: | 3Pour les appareils à commande numérique |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-268-3, ³ PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-268AA |
| Catégorie: | Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire |
|---|---|
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Le paquet: | Boîte |
| Série: | - |
| Catégorie: | Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire |
|---|---|
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Le paquet: | Boîte |
| Série: | - |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples |
|---|---|
| Statut du produit: | Actif |
| Courant - Fuite inverse @ Vr: | 1 μA @ 150 V |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: | 875 mV @ 1 A |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples |
|---|---|
| Statut du produit: | Actif |
| Courant - Fuite inverse @ Vr: | 50 μA @ 45 V |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si: | 490 mV @ 1 A |
