IC統合回路 UPS5819E3/TR13
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1mA @ 20V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 550 mV @ 1 A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1mA @ 20V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 550 mV @ 1 A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| パッケージ: | 散装品 |
| シリーズ: | * |
| Mfr: | マイクロチップ技術 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 100 μA @ 50 V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.1 V @ 400 mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETのタイプ: | N-Channel |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 2V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | - |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | 箱 |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 3.6V @ 2.96mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | TO-268-3のDの³朴（2つの鉛+タブ）、TO-268AA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | 箱 |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 150 V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 875 mV @ 1 A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 50 μA @ 45 V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 490 mV @ 1 A |
